下一代存儲技術引起關注
2018-01-30 15:52:52
號稱次世代記憶體的產品，在近年終于找到它們可以大展拳腳的市場，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智能應用的推動下，終于找到利基市場。
首先提及這個話題的，還是臺積電。
2017年5月，臺積電技術長孫元成第一次在其技術論壇上，發表了自行研發多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）技術，分別會在2018和2019年進行風險性試產，且將采用先進的22納米制程。
研發這項技術的目的很明確，就是要實現更高的效能、更低的電耗，以及更小的體積，用來滿足未來智能化與萬物聯網的全方面運算需求。目前三星和英特爾都在研發相關的產品與制程技術。
事實上，一個一般的嵌入式設計，其實不用嵌入式記憶體的技術，只需要常規的NOR和NAND Flash記憶體，搭配DRAM就可以了。如果是對于系統的體積與運作效能有更高的要求的，例如智能型手機和高階的消費性電子，也可以通過使用MCP技術，將為NOR和DRAM，或者NAND和DRAM封裝在一個芯片中來達成。
如果有較高的資料儲存需求，就能夠使用eMMC（embedded Multi Media Card）嵌入式記憶體規范技術，運用MCP制程將NAND Flash與控制芯片整合在一個BGA封裝里，再搭配DRAM來設計系統。
更先進的系統，則可使用eMCP（embedded Multi Chip Package）嵌入式多芯片封裝技術，把NAND Flash與DRAM，以及NAND Flash控制芯片封裝在一個芯片上，不僅進一步簡化電路設計，降低主系統負擔，同時也保留了高儲存容量的可能性。
圖1 : Crossbar是少數具有RRAM商業量產能力的業者，圖為其COMS整合技術，能整合邏輯芯片與記憶體。
但是，隨著網絡傳輸頻寬越來越大，智能應用衍生的資料運算與儲存需求也隨之越來越高，嵌入式系統對于記憶體封裝技術的需求也蒸蒸日上，并尋求效能更好的記憶體解決方案。這個時候，新一代的嵌入式記憶體技術與次世代非揮發性記憶體的結合就成了最佳解決方案。
本文關鍵詞：
MRAM DRAM
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