MRAM走到轉折點，存儲產業變革即將到來？
2018-01-15 14:35:44
據報道，磁性隨機存取內存(MRAM)將在本年達到一個新的轉折點。Everspin宣布開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，同時他們已經將這款壽命長、非易失性的內存芯片生產提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供長期的記憶能力，與普通的NAND閃存技術相比，ST-MRAM能夠減少寫入放大倍數并擁有更好的耐用性。
ST-MRAM新芯片采用的是一個兼容DDR4的接口。Everspin表示，供應商可以憑借持久的記憶技術設計企業級SSD或對現有的儲存產品進行改善。
據了解，ST-MARAM的密度要比Everspin旗下現有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin表示，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發這種千兆級芯片的關鍵點，此外它還展示了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長度都將減半，其將用于元數據緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示，該產品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。
早在20多年前，由于MRAM具有不易揮發的特性，被視為取代NAND閃存的潛在高性能產品。不過，從產品容量的角度來說，該技術暫時還無法進入市場參與競爭。
MRAM與快閃記憶體不同，它是使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM有與SRAM不分上下的高速讀寫能力，以及具備Flash不揮發性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫次數和DRAM、SRAM相同，操作電壓也相似，可以說是集各種記憶體優點于一體的產品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司東芝、如三星、Intel正在不斷開發更快更高容量的閃存式存儲裝置。
MRAM的主要優勢在于其性能以及低功耗。在不久的將來，內存技術有望超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望成為未來主流內存產品。
本文關鍵詞：
MRAM SRAM
相關文章：
硅片供不應求 中國IC供應鏈不穩定
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、IPUS、lyontek、ISSI、
cypress、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. www.yilisen.com 0755-66658299
