Everspin 是設(shè)計(jì)，制造和商業(yè)銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長最快的基礎(chǔ)。
 
MR25H40是4,194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）設(shè)備系列，組織為524,288個(gè)8位字。 對于必須使用少量I / O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。 它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。
 
MR25H40系列可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。 MR20H40（50MHz）提供工業(yè)溫度范圍（-40°至+85°C）。 MR25H40（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴(kuò)展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍 選項(xiàng)。兩者均采用5 x 6mm，8引腳DFN封裝。 該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。我司英尚微電子EVERSPIN代理,提供各種容量大小的MRAM芯片,提供樣品及技術(shù)支持。