Everspin宣布開始出樣Gbit MRAM芯片，并預計在今年投產(chǎn)采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大會上發(fā)布這項消息，象征著在一個聚焦于主流NAND市場成長的活動中，有越來越多的持久型內(nèi)存開始出現(xiàn)顯著進展。
 
Everspin希望新的產(chǎn)品可作為非揮發(fā)性緩沖器與編寫快取，最終得以在固態(tài)硬盤(SSD)與閃存(flash)儲存數(shù)組中找到取代DRAM的出路。該加速卡采用Everspin推出作為開放來源的特殊Windows和Linux驅(qū)動程序，提供每秒700萬次I/O作業(yè)以及低至2微秒(us)延遲的性能。
 
至少有另外一家公司將為Everspin的加速卡提供第二個供應來源。該公司表示目前已經(jīng)有一家客戶采用了這款芯片，并計劃讓產(chǎn)品在一年之內(nèi)投產(chǎn)。
 
首款采用3DXP內(nèi)存的SSD正開始出貨，使英特爾(Intel)率先在主流儲存市場推出新型內(nèi)存芯片。Western Digital (WD)承諾在2020年以前推出電阻式隨機存取內(nèi)存(RAM)，而在去年底，Spin Transfer Technologies (STT)表示將在明年出樣Gbit級的產(chǎn)品，這讓Everspin又多了一家MRAM競爭對手。
 
Everspin資深營銷副總裁Patrick Patla指出：“將來，所有的記憶都將會是持久型的——時間可能是在5-7年后或更早，但預計具有最高容是的最高性能內(nèi)存才勝出。” 20170821-MRAM-1Everspin基于MRAM技術(shù)的nvNitro加速卡 （來源：Everspin）
 
Everspin營銷總監(jiān)Joe O'Hare表示，每一種新的內(nèi)存類型都可能讓自己所處的市場位置改觀，但截至目前為止，MRAM最接近DRAM的性能。“新的接口標準聯(lián)盟將會鞏固這樣的市場機會，因為他們讓你不必使用特定的持久型內(nèi)存類型，以及處理其各自不同的延遲問題。”
 
雖然GenZ接口預計至少要兩年后才可能商用化，但Everspin在FMS大會中先行展示針對該界面的原型加速卡。同時，它也將在IBM今年稍晚推出的Power9系統(tǒng)上支持其OpenCAPI。
 
Everspin的Gbit芯片采用DDR4接口，并以Globalfoundries的28nm工藝技術(shù)制造。該代工廠授權(quán)這項技術(shù)，為采用其22nm FD-SOI工藝的客戶提供嵌入式MRAM選項，預計將自明年開始。
 
該加速卡采用40nm 256M芯片，搭載PCIe Gen 3總線，支持NVMe接口，并將在今年年底提供U.2或半高、半長規(guī)格的PCIe卡。 迄今為止，Everspin已經(jīng)出貨了7,000多萬張加速卡了，主要用于各種企業(yè)儲存、工業(yè)和其他市場的130nm嵌入式內(nèi)存。

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