Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久存儲(chǔ)器MRAM設(shè)備在單個(gè)1.8V電源上運(yùn)行，并通過八個(gè)I/O信號(hào)為讀取和寫入提供高達(dá)400MBps的數(shù)據(jù)。
 
EM064LX產(chǎn)品系列的主要一般優(yōu)勢(shì)。第一個(gè)也是最突出的好處是速度。EMxxLX系列支持以總線速度進(jìn)行讀寫訪問，在八進(jìn)制DTR配置中可以達(dá)到400MB/s。在實(shí)踐中能否實(shí)現(xiàn)這一速度很大程度上取決于主機(jī)處理器的性能。盡管如此，即使在更常見的（無論如何對(duì)于深度嵌入式應(yīng)用）和保守的Quad SPI配置中，也獲得了接近60MB/s的對(duì)稱讀/寫速度，與典型的NOR和NAND性能相去甚遠(yuǎn)。
 
MRAM的另一個(gè)明顯優(yōu)點(diǎn)是其低能耗。根據(jù)EM064LX數(shù)據(jù)表，在DTR八進(jìn)制配置和200 MHz時(shí)鐘速度下，有效寫入電流為155mA。快速返回包絡(luò)線計(jì)算得出每字節(jié)0.155 A x 1.8 V/400 MB/s=0.7 nJ的寫入能量。這大約是NAND的10倍，NOR的200倍。
 
最后，MRAM的特點(diǎn)是幾乎無限的耐久性，這大大簡(jiǎn)化了軟件設(shè)計(jì)。內(nèi)存耐久性是指在保持一組原始規(guī)范（如最大錯(cuò)誤率和加載/編程/擦除時(shí)間）的同時(shí)可以執(zhí)行的編程/擦除周期數(shù)。有限的續(xù)航能力是閃存管理軟件復(fù)雜性的主要原因之一。在文件系統(tǒng)級(jí)別，需要使用磨損均衡算法，以確保寫入操作在所有塊中均勻分布。這對(duì)于防止擋塊過早磨損，最終使整個(gè)設(shè)備無法使用至關(guān)重要。在更高級(jí)別上，從早期設(shè)計(jì)階段到驗(yàn)證階段以及之后，必須使用診斷工具處理有限的耐久性問題，以便在現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)設(shè)備。這同樣適用于裸閃存和托管閃存。更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)聯(lián)系代理RAMSUN.

本文關(guān)鍵詞：xSPI STT-MRAM,EM064LX,MRAM

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