從人工駕駛到輔助駕駛再到全自動駕駛，社會正在將人為操縱的一切轉向電子控制。尤其是近兩年，L3甚至以上的汽車越來越多，自動駕駛和現實的距離就差“一小步”。
 
簡單解釋一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5級別：針對自動駕駛的等級劃分，目前主要有兩個標準，一是美國交通部下屬的NHSTA（國家高速路安全管理局）制定的，另外則是SAE International（國際汽車工程師協(xié)會）所制定的。通常來說，大家還是使用SAE進行區(qū)分。
 
縱觀整個市場，現在的汽車究竟搭載了多少復雜的功能？自動泊車、碰撞警告、主動剎車、ACC自適應巡航、VSA車聯網檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實時交通系統(tǒng)、360環(huán)視、并線輔助、LDWS車道偏移警告系統(tǒng)、HMW車距檢測及警告、FCWS前車防撞預警系統(tǒng)、PED行人檢測、車道保持系統(tǒng)……

 
對于智能汽車最為重要的是什么？是毫無延遲的快速反應，是毫厘之間的秒開體驗，是無縫對接的交互。數據量膨脹之下，除了算力，數據本身所在的存儲載體是影響這些的首要因素。
 
問題來了，你知道怎么選擇內存嗎？下面存儲芯片供應商英尚國際有限公司為大家介紹一下一些用于汽車應用中的存儲芯片。
 
MRAM
MRAM涉及汽車應用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時收集和存儲更多數據，并幫助確定車輛事故或故障的原因。
 
使用傳感器的汽車應用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數據，因此閃存難以保持這種數據流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器，用于檢測和記錄乘客的體重，與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
 
其他汽車系統(tǒng)，例如里程表，輪胎氣壓記錄儀和ABS，需要頻繁地對內存進行寫操作，而這些寫操作很容易超過閃存的寫擦除功能，并且會耗盡其內存。MRAM具有無限的寫循環(huán)能力，可確保為安全氣囊和ABS等關鍵任務設備提供更可靠的系統(tǒng)。
 
FRAM
VCU系統(tǒng)需要以每秒一次的速度記錄汽車行駛的當前狀態(tài)以及出現故障時的變速器擋位、加速情況、剎車和輸出扭矩等信息，采用FRAM技術可以通過較簡單的軟件進行存儲和讀取，同時保證了高速可靠。例如富士通汽車標準產品MB85RS2MLY，其讀寫次數可達10兆次，范圍為-40°C至+125°C，非常適合于需要實時數據記錄的應用(例如，連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數據，則寫入次數將超過30億次)，具有極高的數據寫入穩(wěn)定性和可靠性。
 
對于BMS(電池管理系統(tǒng))這一新能源汽車的另一大核心技術來說，這些特性同樣重要。電池管理系統(tǒng)需要實時記錄和存儲數據，其系統(tǒng)將以每秒或每0.1秒的頻率實時和連續(xù)地記錄電池的重要數據(故障信息、健康狀況SOH和電量計量SOC等)，同時監(jiān)測電池的短期(最后幾個充電周期為60次/秒)和長期(電池的整個壽命)性能。舉例來說一般情況下電池組的電量保持在30%~75%表示運行正常，如果有不平衡的情況需要從其他電池組補充，此時系統(tǒng)需要檢測記錄電池組的電量、溫度、電壓、電流等數據，并且一次監(jiān)測記錄的時間不宜過長。


本文關鍵詞：存儲器 FRAM MRAM  

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