星憶存儲為電子工業(yè)提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存儲器產(chǎn)品。專注于XRAM產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)，提供低延時(shí)，低功耗和免刷新動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器產(chǎn)品致力于通過創(chuàng)新型存儲技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過程，帶動(dòng)國產(chǎn)存儲芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作，從而推動(dòng)國家存儲芯片設(shè)計(jì)前端產(chǎn)業(yè)變革和更進(jìn)一步的發(fā)展。接下來星憶代理商介紹在STM32F4開發(fā)板STM32F4驅(qū)動(dòng)外部SRAM芯片XM8A51216。
 
STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)足夠了，不過在一些對內(nèi)存要求高的場合，STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來驅(qū)動(dòng)XM8A51216，實(shí)現(xiàn)對XM8A51216的訪問控制，。
 
XM8A51216簡介
XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)：
?高速。具有最高訪問速度10/12ns。
?低功耗。
?TTL電平兼容。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。
?三態(tài)輸出。
?字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示：

 
圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數(shù)據(jù)線，總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號；STM32F4開發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理圖如圖2所示：


從原理圖可以看出，XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過順序錯(cuò)亂了）
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不過這并不影響我們正常使用外部SRAM，因?yàn)榈刂肪哂形ㄒ恍?。所以只要地址線不和數(shù)據(jù)線混淆，就可以正常使用外部SRAM。這樣設(shè)計(jì)的好處，就是可以方便我們的PCB布線。
 
 
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