由于中美貿(mào)易摩擦影響，中國大陸兩大DRAM廠發(fā)展腳步已明顯放緩，根據(jù)TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出，作為NAND Flash發(fā)展主力的長江存儲今(2019)年底前將依照進程正式量產(chǎn)64層Xtacking 3D NAND產(chǎn)品，隨著長江存儲明(2020)年產(chǎn)能逐步擴大，預計將對全球NAND Flash市場供給與價格帶來沖擊。

TrendForce指出，長江存儲已于第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商，初期著重國內(nèi)市場銷售；并且已完成武漢廠的建設，并有限度的投產(chǎn)32層產(chǎn)品，待64層正式量產(chǎn)后產(chǎn)能擴張將轉(zhuǎn)趨積極。2020年后產(chǎn)能規(guī)劃將逐步放大，到該年底擴張達至少60K/m的投片量，盡管相對其他競爭者動輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，預估仍會對NAND Flash市場價格產(chǎn)生一定沖擊，導致跌價趨勢持續(xù)。 TrendForce分析認為，中國新開產(chǎn)能以達成自給的目標相當明確，而其他國際廠商亦各自有新廠得以因應2020年后的競爭，包含三星的西安二期、東芝的巖手縣新廠、美光的新加坡三廠、SK Hynix M15廠的剩馀空間加上后續(xù)的M16廠房等，在各廠產(chǎn)能提升后，價格競爭恐將更為激烈。

為縮短與一線廠1-2年的技術差距，長江存儲明年直攻128層產(chǎn)品。TrendForce指出，以主要六大供應商的發(fā)展狀況來看，目前主流出貨多在64/72層產(chǎn)品，并已量產(chǎn)92/96層的產(chǎn)品，目前正提供客戶UFS、SSD等產(chǎn)品樣品進行導入，然而新制程的擴產(chǎn)受到今年市況影響，供應商自去年年底以來逐步調(diào)降資本支出并減緩擴產(chǎn)時程，甚至有部分供應商決定減產(chǎn)，導致新制程比重成長較為緩慢。 反觀長江存儲發(fā)展規(guī)劃，在推出64層產(chǎn)品后，相較于其他供應商先發(fā)展9x層的步調(diào)，長江存儲將直攻128層以縮減與其他供應商的差距，主要供應商則規(guī)劃在2020年量產(chǎn)128層產(chǎn)品。盡管長江存儲在技術發(fā)展上仍與主要供應商有相當差距，但未來對市場的影響恐怕勢難抵擋。

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