在全球范圍，Everspin已建立起非常良好的用戶基礎(chǔ)，并且目前還在快速的發(fā)展中。Everspin擁有超過500項專利和相關(guān)應(yīng)用，領(lǐng)導(dǎo)in-plane 和 perpendicularMTJ（垂直磁隧道結(jié)）的技術(shù)發(fā)展。同時Everspin與國際大型晶圓廠的良好關(guān)系也為大規(guī)模量產(chǎn)40nm，28nm以及更先進工藝的MRAM鋪平了道路。作為全球第一家商用并批量出貨的MRAM制造商，Everspin正在全力推動MRAM在MCU,GPU，DSP，AP及ASIC上作為主存替代SRAM/SDRAM。

Everspin推出一款并行1Mb 非易發(fā)性存儲芯片MR0A16AMA35，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍0 ℃to +70℃，高可靠性，具有無限的寫入周期及35ns讀寫時間和SRAM接口時序。典型的應(yīng)用包括計算機存儲系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動化和機器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統(tǒng)。

附表為產(chǎn)品型號表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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