Everspin科技有限公司是全球領先的設計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產商，自從Everspin第一款產品進入市場，由于MRAM可以保持數據持久性和完整性、低功耗等特性，在應用程序設計中起到了安全性至關重要的作用，應用在數據中心、云存儲、能源、工業、汽車和運輸市場等, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強大、最迅速的基礎。
 
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。位寬512K x 8。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫周期（無寫入延遲），以及出色的耐讀/寫能力。數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用，是理想的內存解決方案。
 
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲和無限的讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，MR25H40CDF系列的讀取和寫入都可以在內存中隨機發生，寫入之間沒有延遲。
 
MR25H40CDF系列可在廣泛的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。MR25H40 (40MHz) 提供工業級（-40℃至 +85℃）、擴展級（-40 至 105℃）和 AEC-Q100 1 級（-40℃ 至 +125℃）工作溫度范圍選項。采用 5 x 6mm、8引腳DFN封裝。引腳排列與串行 SRAM、EEPROM、閃存和FeRAM產品兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及技術支持。
 
MR25H40系列

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	1140	4000

 

本文關鍵詞： Everspin,MR25H40CDF,MRAM

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