功能比較

	FRAM	EEPROM	FLASH	SRAM
內(nèi)存類型	非揮發(fā)性	非揮發(fā)性	非揮發(fā)性	易揮發(fā)的
寫法	覆蓋	擦除 + 寫入	擦除 + 寫入	覆蓋
寫周期時(shí)間	150ns	5ms	10µs	55ns
讀/寫周期	1013	106	105	無限
升壓電路	No	Yes	Yes	No
數(shù)據(jù)備份電池	No	No	No	Yes

 
 
串行FRAM與EEPROM/閃存
與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器如EEPROM和Flash相比，F(xiàn)RAM具有寫入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優(yōu)勢(shì)。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優(yōu)勢(shì)；
 
性能改進(jìn)
由于寫入速度快，即使在突然斷電的情況下，鐵電存儲(chǔ)器也能以寫入方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。不僅如此，F(xiàn)RAM可以比EEPROM和Flash存儲(chǔ)器更頻繁地記錄數(shù)據(jù)。寫入數(shù)據(jù)時(shí)，EEPROM和閃存需要高電壓，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通過使用FRAM，可以延長電池供電的小型設(shè)備的電池壽命。
總之，F(xiàn)RAM是；
 
·能夠在突然斷電時(shí)以寫入方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
·可以進(jìn)行頻繁的數(shù)據(jù)記錄
·能夠延長電池供電設(shè)備的電池壽命
 
總成本降低
在工廠對(duì)每個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行參數(shù)寫入的情況下，鐵電存儲(chǔ)器有助于降低制造成本，因?yàn)榕cEEPROM和閃存相比，F(xiàn)RAM可以縮短寫入時(shí)間。此外，F(xiàn)RAM可以給您一個(gè)芯片解決方案，而不是多芯片解決方案，例如2個(gè)芯片由EEPROM+Flash組成，或者3個(gè)設(shè)備由EEPROM+SRAM+電池組成。
 
·縮短出廠參數(shù)寫入時(shí)間
·減少最終產(chǎn)品中使用的零件數(shù)量
 
并行FRAM與SRAM
具有并行接口的鐵電存儲(chǔ)器，兼容電池備份SRAM，可以替代SRAM。通過將SRAM替換為FRAM，客戶希望獲得以下優(yōu)勢(shì)。
 
總成本降低
使用SRAM的系統(tǒng)需要保持電池狀態(tài)檢查。通過更換為FRAM，客戶可以從電池檢查的維護(hù)負(fù)擔(dān)中解脫出來。此外，F(xiàn)RAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。
 
·免維護(hù)；無需更換電池
·設(shè)備小型化；可以減少最終產(chǎn)品的許多零件
 
環(huán)保產(chǎn)品
廢舊電池成為工業(yè)廢棄物。通過用FRAM替換SRAM+電池，可以減少不必要的備用電池。
 
·減少電池處理

本文關(guān)鍵詞： 鐵電存儲(chǔ)器

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