FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。
 
FM25V10-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上被組織為131,072×8位，并使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25V10-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優越寫入性能，高耐用性和低功耗。
 
與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25V10-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25V10-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用，例如數據收集（可能是關鍵的寫入周期數）到苛刻的工業控制，而串行閃存或EEPROM的較長寫入時間會導致數據丟失。失利。
 
FM25V10-GTR作為串行EEPROM或閃存的用戶，可作為硬件的替代品而獲得實質性好處。FM25V10-GTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。FM25VN10提供了唯一的序列號，該序列號是只讀的，可用于識別電路板或系統。兩種設備都包含一個只讀的設備ID，主機可以通過該ID來確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內保證器件的規格。

耐力
FM25V10-GTR器件至少可以被訪問1014次，可以進行讀取或寫入。 FeRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪問（讀取或寫入），將按行施加耐久周期。 FRAM體系結構基于每個64位的16K行的行和列的陣列。整個行在內部訪問一次，無論是讀取還是寫入一個字節或全部八個字節。在耐久性計算中，該行中的每個字節僅被計數一次。下圖顯示了一個64字節重復循環的耐久性計算，該循環包括一個操作碼，一個起始地址和一個順序的64字節數據流。這將導致每個字節在整個循環中經歷一個持久周期。即使在40 MHz時鐘速率下，FRAM的讀寫持久性實際上也是無限的。

 
記憶操作
SPI接口具有高時鐘頻率，彰顯了FRAM技術的快速寫入能力。與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR可以以總線速度執行順序寫入。不需要頁面寄存器，并且可以執行任何數量的順序寫入。
 
唯一序列號（僅FM25VN10）
FM25VN10器件包含一個只讀的8字節序列號。它可以用來唯一地標識電路板或系統。序列號包括一個40位唯一編號，一個8位CRC和一個16位編號，可以根據客戶的要求進行定義。如果不要求客戶特定號碼，則16位客戶標識符為0x0000。
 
通過發出SNR操作碼（C3h）來讀取序列號。 8位CRC值可用于與控制器計算出的值進行比較。如果兩個值匹配，則說明從站和主站之間的通信沒有錯誤。該函數用于計算CRC值。為了執行計算，將7個字節的數據按照從該部分讀取的順序填充到內存緩沖區中，即字節7，字節6，字節5，字節4，字節3，字節2，字節1。序列號。計算是對7個字節執行的，結果應與8字節CRC值字節0的最后一個字節相匹配。
 

 本文關鍵詞：鐵電RAM FM25V10-GTR  

相關文章： Everspin MR1A16A MRAM替換賽普拉斯FM28V202A FRAM

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。